強誘電体メモリ用トレー

いわきのFeRAM用トレーは1T1C型、2T2C型のいずれにも対応します

半導体メモリのひとつで、特殊な性質を持つ絶縁体の一種である強誘電体を材料の一部に用いた強誘電体メモリ(Ferroelectric Random Access Memory:FeRAM)。使用時に自由に読み書き可能なRAM(Random Access Memory)に分類され、通電しなくても記憶内容を保持する不揮発性メモリとして、非接触ICカードの内蔵メモリなどで機能を発揮しています。いわきはFeRAMの専用オリジナルトレーを製造しており、梱包用、輸送用、納品用、保管用、工場工程用、検査用、出荷用など幅広い用途で多くのお客様にご利用頂いています。


専門メーカーのいわきなら高機能のDRAM用トレーもご提案可能です

電気を通さない絶縁体のうち、プラスとマイナスの電荷の分布が偏る分極により電荷を蓄えることができる誘電体。このうち電圧の加え方により分極の方向を制御でき電圧を加えなくても分極状態が維持されるものが強誘電体となります。FeRAMでは一般的なDRAMと同じように記憶を維持するメモリセルにキャパシタ、コンデンサーを用いますが、電極間の絶縁体として強誘電体を挟みます。これによりDRAMに近い高速な読み書き速度とEEROMやフラッシュメモリのように通電が途絶えても記憶が消えない不揮発性を両立しています。FeRAMをめぐっては大きく分けて2種類のメモリ構成があります。具体的には強誘電体キャパシターとメモリ選択用のMOSFETを組み合わせる1T1C型、いわゆるキャパシター型と、これをベースにして2つのキャパシターを逆向きに分極させることでデータの信頼性を高めている2T2C型があります。いわきのFeRAM用トレーは、メモリセル構成の異なる1T1C型と2T2型のいずれにも対応し、製品を確実に保護します。なお、1T1C型はDRAM(Dynamic Random Access Memory:ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ)と同じメモリセル構成であり、いわきはDRAM用トレーもご提案します。あわせてお申し付けください。


高速書込み・高書換え耐性・低消費電力など各機能を保護するオリジナルトレー

FeRAMは成膜方法のノウハウが蓄積されたPLZTや低電圧駆動に優れたSBT、600℃ほどの低温で形成可能で疲労現象を抑制できるBLTといった強誘電体膜で構成され、大きい残留分極や低い比誘電率、低い抗電界、小さいリーク電流、小さい分極反転疲労・ファティーグ特性、小さいインプリント・刷り込み特性を発揮します。これらの諸機能を保護すべく、いわきは設計の自由度の高い真空成型技術を活用して専用オリジナルトレーを成形しています。真空成形はお客様の製品形状を材料シートに忠実に再現可能といった技術的特性を有し、最適なトレーポケットが製品を確実に支持・保護します。また、真空成型は金型にかかる圧力が小さいため、一度作った金型は長期にわたって使用可能となります。結果、これまでお客様に多大な負担を強いていた金型のメンテナンス費用など一連のコストを大幅に削減します。加えて当社は金型から成形品まで、国内自社工場で一貫生産体制ですのでさらなるコストダウンと短納期を実現します。自社一貫生産の当社であれば、多品種小ロットや試作後のデザイン変更などにも柔軟に対応いたします。他社を上回るコスト競争力とスピーディーな納品をぜひご実感ください。お問合せ頂ければ、担当スタッフが北海道から沖縄まで駆けつけます。あわせてお見積りや納品までのスケジュールなどもご案内申し上げます。お電話お待ちしています。


いわきのFeRAM用トレーはここがポイント!

強誘電体のヒステリシス(履歴効果)による正負の残留分極(自発分極)をデジタルデータの1と0に対応させたFeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)。データを記憶する材料に強誘電体を使用した不揮発性メモリで、ROMとRAMの両方の性質を併せ持ち、高速書込み・高書換え耐性(多書換え回数保証)・低消費電力の特長を持ちます。いわきは低価格かつ短納期で高信頼のFeRAM専用オリジナルトレーをご提供します。製品のおすすめポイントは次の3つです。

  1. 様々なメモリ製品に特化した専用トレーです
    FeRAMは大きく分けて2種類のメモリ構成があります。具体的には強誘電体キャパシターとメモリ選択用のMOSFETを組み合わせる1T1C型、いわゆるキャパシター型と、これをベースにして2つのキャパシターを逆向きに分極させることでデータの信頼性を高めている2T2C型があります。いわきのFeRAM用トレーは、メモリセル構成の異なる1T1C型と2T2型のいずれにも対応し、製品を確実に保護します。なお、1T1C型はDRAM(Dynamic Random Access Memory)と同じメモリセル構成であり、いわきはDRAM用トレーもご提案します。
  2. 形状に忠実なポケットが製品機能を保護します
    FeRAMは成膜方法のノウハウが蓄積されたPLZTや低電圧駆動に優れたSBT、600℃ほどの低温で形成可能で疲労現象を抑制できるBLTといった強誘電体膜で構成された大変デリケートな製品であり、動作信頼性が何より問われます。いわきは設計の自由度の高い真空成型を活用し、製品形状に忠実なトレーポケットを成形します。このポケットが、大きい残留分極や低い比誘電率、低い抗電界、小さいリーク電流、小さい分極反転疲労・ファティーグ特性、小さいインプリント・刷り込み特性といったFeRAMの諸機能を保護します。安心してご使用下さい。
  3. 自社一貫生産体制により低価格・短納期を実現します
    いわきは真空成形技術を活用しつつ、金型から成形品に至るまで国内自社工場で自社一貫生産。他社を上回る低コストとスピーディーな納品を実現します。また、自社一貫生産の当社であれば、何千・何万個単位の大量生産では抜群のコストパフォーマンスを生む一方、試作程度の小ロットでも割安でご提供可能です試作後のデザイン変更などにも柔軟に対応します。成形品のみならず、当社は金型においても半世紀のノウハウと実績がありますので、何でもご相談ください。まずはお見積りで当社の価格競争力をご実感ください。お電話お待ちしています。